하이닉스반도체(대표 김종갑)는 2010년 해외법인을 포함, 2조3000억원 규모의 시설 투자를 집행할 계획이라고 24일 밝혔다.

이는 올해 투자 금액보다 1조3000억원 늘어난 금액이다. 하이닉스는 차세대 D램인 40나노급 DDR3 생산 비중을 높이고 낸드 플래시 메모리 증산을 위해 투자 규모를 확대한 것으로 전해졌다. 낸드 플래시의 경우 하이닉스는 생산 규모를 두 배 가량 늘릴 예정이다.

회사 측은 그러나 이번 투자계획은 향후 업황 및 경영 여건에 따라 변경될 수 있다고 덧붙였다.

윤건일기자 benyun@etnews.co.kr