삼성전자가 세계 처음 0.6mm 두께의 8단 적층칩 기술을 개발했다. 적층칩이란 메모리 용량을 늘리기 위해 단일 반도체를 쌓아 올린 제품으로, 두께 1mm 미만을 실현하기는 이번이 처음이다.

삼성전자(대표 이윤우)는 4일 세계 최초로 0.6㎜ 두께의 8단 적층칩 기술을 개발해 32기가바이트(GB) 낸드플래시 적층칩에 적용했다고 4일 밝혔다. 이 적층칩은 750㎛(1마이크로미터=100만분의 1ｍ) 두께인 12인치 웨이퍼 뒷면을 15㎛ 두께로 갈아 내고, 위로 쌓아올려 하나의 패키지로 만든 제품이다.

기존 낸드플래시 적층 패키지는 웨이퍼를 60㎛ 두께로 가공해 1mm 정도의 두께를 구현하는데 그쳤다. 웨이퍼 두께를 30㎛ 이하로 가공하면 칩의 강도를 유지하기 어렵고, 적층 간격이 너무 좁아 안정적인 수율을 확보하는 것이 쉽지 않았기 때문이다. 삼성전자는 이같은 기술적 한계를 극복하고 웨이퍼를 15㎛ 두께로 가공하는데 성공했다. 이번에 개발한 기술을 활용해 1mm 두께의 낸드플래시 적층칩을 구현하면 두 배 이상의 대용량 제품을 제조할 수 있게 된다.

삼성전자는 초박형 8단 적층칩 기술을 통해 현재 50% 이상의 세계 점유율을 확보한 모바일 메모리 복합칩 시장에서 제품 경쟁력을 더 강화할 수 있을 것으로 기대했다. 삼성전자 테스트앤패키지센터 정태경 상무는 “0.6㎜ 8단 적층칩은 현재 대용량 적층칩 시장의 주력 제품과 비교해 두께는 물론 무게까지 절반 정도여서 모바일 기기 시장에 가장 적합한 솔루션이다”라고 말했다.